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氧化硅的来源,控制沉淀作用的物理化学条件,以及氧化硅胶结性与
压溶之间的关系等都直接受到注意(据伊里兰德,Ireland, 1959) 。
毫无疑问,氧化硅胶结物可从溶液中沉淀出来。溶液中的氧化硅来自
放射虫、硅藻壳和硅质海绵骨针等有机碎屑。同样,有些富硅溶液必定是
从压实粘土中排出的。人工培植氧化硅晶簇,曾做过大量成功的试验。在
高温高压-F即可获得晶簇(据赫尔德和伦顿, Heald and Renton, 196
6; 帕拉挂苏, Paraguassu,1972),在常温常压下也可获得(据马肯兹
和吉斯,Mackenzieand Gees, 1971),
研究次生氧化硅、孔隙度和埋藏深度之间的关系无疑要与压溶或压熔(
Pressure welding)现象结合起来。许多薄片显示,石英颗粒彼此紧挤,次
生氧化硅则在邻近颗粒间接触点处沉淀。许多研究工作者根据这些观察都
认为,当砂被压缩时,颗粒接触处的氧化硅被溶解并瞬即再沉淀。最近里
坦霍斯(Rittenhouse,1971)对孔隙度减少作了定量分析。这个分析把压溶
与颗粒形态和填积结合起来。
泰勒(Taylor,1950)认为,随着埋藏深度的增加,每个颗粒接触邻近
颗粒的数量,可从接近地表处的1、 2个增加到深处的5个或5个以上。同
时,他还说明颗粒的接触性质随埋藏深度的增加而变化。在浅部,岩石的
颗粒接触关系普遍为颗粒相切或点状接触;向下渐变为长形状接触,颗粒
边缘并排地贴在一起;再往深处,颗粒变为凹凸相接,该处压溶作用强烈
,接触边缘普遍缝合。上述颗粒接触在数量和性质上的变化,是和孔隙度
的逐渐降低相伴随的
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