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位错的移动一般取决于合金化学性质、温度和位错的类型。较低温度
下,普通位错的滑移阻力由品格摩擦、缓慢牵引和局部障碍(Appel和Wag-n
er,1998)引起。该滑移阻力随着温度的升高而降低并在250℃消失。在250
℃~400℃的中等温度下,
平面内仅有一个双晶剪切方向。因为双晶剪切的不定向性,特定方向
范围内的颗粒不能从机械上进行双品化。确凿的证据显示,界面边界处的
位错结构以及沉淀物处的应力集中是促进双晶成核的重要因素。
变形性能也有显著的影响。由滑移和双生引起的层片边界处的剪切平移
是非常网难的,而由多种变形模态综合运作产生的塑性应变可以被局限在
层状边界的范围内。这些情况加上平板的平面外形,导致了片层材料较强
的塑性各向异性。片层平面内发生变形时其屈服和断裂应力都较低[软模式
(soft mode)],而当变形穿过片层时却较高[硬模式(hard mode)]。拉伸轴
紧靠片层平面时的韧性较高,而在轴几乎垂直于片层平面时却较低。
因此,在多晶材料中,特定的颗粒取向会导致变形变得困难。局部塑
性和南周围弹性体引起的约束会催生裂纹,即使此时的名义载荷很低。大
体来说,这些因素限制了低温以及室温下的塑性变形和损伤容量。例如,
室温下TiAl合金的塑形拉伸伸长率很少能超过2. 5%。
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