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固态物含量的百分比。然后将光刻胶覆盖的硅片在低温(80~1
00℃,20min)下进行软烘烤固化,再用掩模进行遮蔽或投影来印刷
图形①。掩模一般是一个带有分度线的掩模板,由涂有遮光材料(
如铬薄膜)的玻璃板做成,用湿法腐蚀和辅助光刻胶在其上做成图
形,在这种情况下,用高分辨率的电子束书写机在光刻胶上直接书
写图形。然后将掩模和衬底对准照射光源[通常为紫外光(uV)]进行
曝光,照射光透过掩模的空白部分,而其他部分则被铬涂层遮挡。
照射效果取决于光刻胶的类型——正胶或负胶。当正光刻胶被照射
曝光时,它在光刻胶显影液中成为可溶性的,溶解后留下一个光刻
胶图形,其形状与铬膜的形状相同。反之,负光刻胶被照射曝光后
变得难溶于显影液,留下的是铬膜图形的负像。最常用的是负光刻
胶,因为负胶得到的效果较好。
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