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本文标题："金属氧化物半导体(CMOS)质量检测显微镜"
新闻来源：未知 发布时间：2017-6-24 19:57:25 本站主页地址：http://www.jiance17.com
金属氧化物半导体(CMOS)质量检测显微镜
试质量指标的详细分析。不仅对现有指标的不同用途进行了探索(
产品质量对比测试质量)，而且提出了一种新的指标。新指标的基
本假设就是测试质量应该随着测试模式集而变化，并且与实际覆盖
率和可能检测到的小延迟缺陷的尺寸具有更好的相关性。
在未来的研究挑战中，与小延迟缺陷相关的失效的有效诊断和
物理失效分析(PFA)是理解这些缺陷的行为和产生源头的关键所在
。注意到过渡故障的诊断／PFA是冗长乏味的并在先进的工艺节点
中逐渐成为挑战，小延迟缺陷的诊断／PFA是很艰巨的。就未来而
言，随着技术水平革新到20nm以下以及像使用Fin—Fet的特殊的电
路结构，可能需要对小延迟缺陷具有清晰和一贯的了解。相比于基
体互补金属氧化物半导体(CMOS)，能看到在FinFet中小延迟缺陷是
如何影响电路的设计和性能将会是非常有意思的事情
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