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本文标题："物理气相沉积光刻零件分析图像显微镜"
新闻来源：未知 发布时间：2017-6-13 22:19:32 本站主页地址：http://www.jiance17.com
物理气相沉积光刻零件分析图像显微镜
同时，温度必须精确地控制，使整个硅片范围的沉积条件保
持恒定。在这一加工温度下，硅原子保持了大的动能，使它能迁移
到晶片表面并占据表面上能量最有利的位置。因为单晶代表着固态
下能量的最低值，所以沉积层优先生长为单晶层。如果在反应气中
添加适当的混合物，则沉积层可以相应地被掺杂。
物理气相沉积(PVD)
几乎没有例外，溅射是惟一用于制造半导体的PVD方法。氩离
子可以由外加的电压加速后射向目标靶，由于氩离子与目标靶表层
碰撞后的能量转换，目标靶上的中性离子被溅射出后，接下来冷凝
在基体上。在溅射过程中，到达基体的氩离子比蒸气中的氩离子的
能量高10一100倍。因此溅射形成的薄膜具有较好的粘接力。
溅射技术的最终突破是所谓的磁控溅射。磁控溅射与传统的溅
射技术和蒸发法生产的标准涂层相比较，可以实现高的薄膜生长率
光刻(薄膜图形化)
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