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本文标题："晶片表面微细结构试件样品分析显微镜"
新闻来源：未知 发布时间：2017-6-13 22:19:09 本站主页地址：http://www.jiance17.com
晶片表面微细结构试件样品分析显微镜
可以用泵来吸走和清除。在过去的几年中，CVD方法实际上已
替代了半导体技术中的蒸发技术。用CVD方法可以生产所有集成电
路需要的涂层，单晶体的生长也可以用外延法在CVD工艺中实现(这
一点将在下一段中介绍)。单晶硅层也可以由多晶硅制造(就像标准
的CVD生产技术)。单晶硅层的制造在有一个“内层”的外延和一个
籽晶存在的情况下，加热薄膜即可。
外延
在正常压力和低压的情况下，来自气相的外延是单晶硅薄膜生
长的标准方法。在气相条件下，精确的外延温度控制在涂层质量方
面起着重要作用，它不仅维持和控制硅片的温度为1050—1150℃，
而且使跨过整个硅片的温度差变得最小。在低压状态下，当加热硅
片时，对流的影响较小，热传导(通过整个表面的直接接触)和辐射
起主要作用。在真空中，基体的均匀加热是一个问题，这是因为晶
片既不能由一个真空夹头固定，也不能机械地夹到加热器上，并且
不能造成晶片表面微细结构的损伤。对热接触，需要的是最大可能
的表面积。在高温下，晶片中的应力会得到缓解，但可能导致附加
的变形和接下来的表面上热的不均匀性
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