---
---
---(点击查看产品报价)
本文标题："液体和气体杂质源几乎已完全取代了固体源"
新闻来源：未知 发布时间：2016-12-4 2:39:14 本站主页地址：http://www.jiance17.com
液体和气体杂质源几乎已完全取代了固体源
用高温热氧化方法生长二氧化硅薄膜时，由于使用了很高的温度，
致使硅样品特性发生变化，如硅一二氧化硅界面的杂质再分布、载
流子寿命的改变等，这些都是与高温过程有关系。这是高温热氧化
方法的不足之处。
各种杂质的特殊解取决于杂质的扩散系数及其在半导体中的固溶度
。固溶度限定了表面掺杂的极限，或是某种杂质对硅片掺杂的最高
浓度，而扩散系数是指杂质扩散的速度。扩散速度较快的杂质可减
少扩散时间，不过，集成电路制造过程要求多个扩散工序，因此最
初的扩散工序必须用较慢的扩散杂质，以免这些杂质在以后操作中
产生再分布。
液体和气体杂质源几乎已完全取代了固体源，因为固态扩散的杂质
浓度主要是取决于固体的温度，可控能力很差，杂质源温度的微小
变化就会导致蒸汽压力的大幅度变化，从而使携带气体的杂质分量
产生难以控制的变化。先进的扩散方法是使用全气体系统，这是控
制携带气体中杂质浓度最有效的方法(特别是在低浓度值时)。
所有资料用于交流学习之用，如有版权问题请联系，禁止复制,转载注明地址
上海光学仪器一厂-专业显微镜制造商 提供最合理的显微镜价格
合作站点：http://www.sgaaa.com/显微镜百科