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本文标题："氮化硅和一氧化硅掺杂技术种类分析显微镜"
新闻来源：未知 发布时间：2016-12-4 2:39:02 本站主页地址：http://www.jiance17.com
氮化硅和一氧化硅掺杂技术种类分析显微镜
过去使用的掺杂技术种类繁多，如合金结和生长结。现在出现了新
技术，如离子掺杂法。但是，几乎所有的半导体集成电路都使用扩
散和外延生长。扩散可以在硅片的特定区域里掺杂，外延生长是在
整个表面上均匀掺杂。
扩散方法之所以能在特定区域里进行掺杂，是由于二氧化硅能
掩蔽某些杂质扩散。因此，利用二氧化硅的掩蔽作用，按照几何图
形来控制杂质扩散。二氧化硅可以用热生长法将半导体硅片的表面
转变成二氧化硅，也可以用淀积法在半导体硅片上淀积二氧化硅。
其它材料，诸如氮化硅和一氧化硅，也可以用作扩散掩模。
通过含硅化合物诸如硅烷、四氯化硅和三氯硅烷的热分解作用
，可在单晶硅片上淀积单晶硅，这就是大家所熟悉的外延生长。用
外延生长方法，可以在单晶硅片上生长具有均匀电阻率的单晶层。
氧化二氧化硅薄膜在半导体器件工艺中可以用作扩散掩模和扩散源
，保护器件不受外界条件影响，以及实现器件的整个表面钝化。二
氧化硅薄膜的制备方法有如下几种：
1．热氧化；
2．化学淀积；
3．电解氧化；
4．反应溅射。
在功能块的制造工艺中，普遍采用热氧化和化学淀积这两种方
法来形成二氧化硅薄膜。
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