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本文标题："晶圆片键合和层间转移可以制备较复杂的结构"
新闻来源：未知 发布时间：2016-9-28 12:28:20 本站主页地址：http://www.jiance17.com
晶圆片键合和层间转移可以制备较复杂的结构
晶圆片键合和层间转移可以制备较复杂的结构。在流体器件中晶圆
片堆叠可制备四周封闭的管道；在微机电系统(MEMS)中键合，可制备含
有密封腔的谐振器件；键合可以将单晶硅附在非晶氧化物上，用于电绝
缘。
这些基本工艺可以通过多次组合而实现器件制备，工艺复杂性常用
光刻次数来表示：对于简单的P型金属氧化物半导体(P-Type Metal．Ox
ide Semiconductor，PMOS)晶体管只要进行6次光刻步骤；很多MEMS，
太阳能电池和平板显示器件可以用2～6次光刻步骤来完成；2000年的0
．18 tan互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semicon
ductor，CMOS)电路则需25次光刻步骤，而0．5。0．8 banCMOS工艺则
需使用15块掩模版。如果将CMOS与其他功能结合，如双极型晶体管、集
成显示器或传感器，需在CMOS工艺基础上增加6次光刻步骤。
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