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本文标题："多晶薄膜可以通过热处理晶粒生长获得-金属加工"
新闻来源：未知 发布时间：2016-9-28 12:28:05 本站主页地址：http://www.jiance17.com
多晶薄膜可以通过热处理晶粒生长获得-金属加工
材料
类似基片，生长或沉积薄膜的形态可以是：
·单晶
·多晶
·非晶
在工艺过程中，单晶薄膜通常保持其单晶状态，但可以通过离子轰
击变为非晶态；多晶薄膜可以通过热处理晶粒生长获得；非晶态薄膜可
以保持其非晶态，或晶化转变为多晶态，在很特殊的情况下可变为单晶
态。
单元素基片和单元素薄膜(如硅、铝、铜和钨)较简单，它们具有广
泛的应用。化合物引入了新的机遇和挑战：氧化硅、氮化硅、氧化铪、
硅化钛、氮化钛和氮化铝(AIN)在沉积时不一定是理想配比，例如，氮
化钛一般描述为TiN。，戈的值由薄膜沉积工艺决定。
另外，除了单元素和化合物材料，合金也被广泛应用，用龇．1％s
i或A1—0．5％Si．2％Cu替代单元素铝对金属化的稳定性更有利(参见
第24章)。由不同大小原子组成的合金一般为非晶态薄膜，在一些应用
中，它可以在退火过程中防止结晶并保持非晶状态。
薄膜沉积条件(例如杂质和工艺温度)会强烈影响薄膜的性能，在低
温下沉积的硅为非晶态，在中等温度下为多晶态，在高温和严格的条件
控制下为单晶态。微加工材料必须服从微图形化技术，例如刻蚀和抛光
。有时薄膜需沉积在平坦的晶圆片上，但又经常需沉积在台阶和沟槽中
，沟槽的深度可以是宽度的40倍，这些将在薄膜沉积工艺中进行详细描
述。
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