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其他金属线生成技术有通过介电泳技术装配悬浮金属颗粒等。
等离子体增强生长技术,如通过气态一液态一固态生长或者气态一
固态转变的技术,尚不能用于制造纳米线。但是如果它能应用在低
温工艺条件下,则对封装技术就会越来越重要。人们已经通过化学
气象沉积工艺制备了局限在MWCNT内部的、直径为40nm的单晶镍纳
米线,其长度达到几十微米金属纳米线:材料
几乎所有电化学上可还原的阳离子都能像线一样沉积在不同外
模板的孔中。
对于电解质水溶液和不含水的离子液体中金属在纳米孔内的电
镀沉积,人们已经进行了彻底的研究。这种电镀沉积扩展了纳米导
线可用材料的范围。因此,除了适合用于大量生产纳米级金属棒和
金属线的胶体化学方法之外,外模板方法也能用于制备单导线接触
件或者特殊的聚合物复合材料,而完成制备则需要几克的单分散性
金属线
嵌入在绝缘基体(如多孔阳极氧化铝)中的可磁化导线的周期
性阵列可以用作信息存储设备,它通过垂直数据记录来存储信息。
铁磁性的镍和钴纳米线阵列‘挖1,122 3等周期性阵列的典型特征
是高度剩磁和矫顽(磁)力。与此类似,人们提出把电子束表面柱
状阵列用作高密度的数据存储设备,相比周期性阵列,这种柱状阵
列的制备过程会消耗更多时间,因此也更加昂贵。根据其磁阻巨大
这一性质,人们已经在考虑把磁性多堆叠复合层用作高密度存储元
件
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