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本文标题："测定半导体材料痕量杂质的各种方法中技术的应用分析"
新闻来源：未知 发布时间：2015-12-13 17:27:01 本站主页地址：http://www.jiance17.com
测定半导体材料痕量杂质的各种方法中技术的应用分析
象其他半导体材料一样，碳化硅中痕量杂质的极端灵敏分析方
法的需要主要是发展超提纯法以及更好地了解杂质对材料电性的
影响，关于发展灵敏而又方便的痕量分析法。
在用作测定半导体材料痕量杂质的各种方法中，对低浓度范围
有实际价值的工具仅仅是中子活化分析，质谱和以射光谱，中子
活化分析对于许多杂质元素是一种最灵敏的方法，已经很成功地
用作分析超纯锗和硅，这种技术除了可以达到高的灵敏度以外，
还有最重要的两个优点是在分析过程中可避免污染和在十分低的
浓度范围内可以达到高的精确度，一般地说来，这种方法是最适
用于0.001-1p.p.m浓度范围，虽然这种技术在过去有着不可估计
的价值，但是由于有以下的三个局限性促使去发展高纯半导体材
料的其他代替的分析方法。
第一、首先需要附近或有高热中子通如核反应堆可以使用，第
二是在计数之前为了达到最大有效灵敏度需要以化学法分离每一
种放射元素，若要测定已知样品中的许多杂质元素，则需要大量
的放射化学分离，而分析的时间可能要一星期或更长一些，最后
，象其他的分析技术一样，此法对于某些元素的测定是无效的，
在中子活化分析法中，不利的核性质妨碍了以下元素的测定，锂
、铍、硼、碳、氮、氧、镁、铝、钛、钡和铌，偏巧许多这些元
素，由于它们对半导体材料电性质的显著影响，却是十分重要的
。
质谱法在痕量分析中可以说是一种很有力的工具，但是很少应
用于半导体分析中，首先是由于仪器的价格非常昂贵，因此，提
出了其他许多更方便的方法。
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