---
---
---(点击查看产品报价)
本文标题："碱熔融测定碳化硅中痕量杂质的直接光谱分析"
新闻来源：未知 发布时间：2015-12-13 0:18:06 本站主页地址：http://www.jiance17.com
碱熔融测定碳化硅中痕量杂质的直接光谱分析
发射光谱法长久发来用作浓度范围在1p.p.m，以上的痕量分析
工具，为了用作分析高纯半导体材料，希望提高此法的灵敏度，
在光谱分析之前利用预先浓集方法，在分析硅的杂质时，就用真
空蒸馏作为预先浓集方法，在测定硅中硼的浓度低达十亿分之一
时，化学的预示浓集法已被用于光谱法中，利用化学预先浓集技
术的主要缺点是有被试验和容器污染的危险，在低浓度时这种情
况特别严重。
曾希望在碳化硅样品中也应用预先浓集的步骤，但是，由于这
种材料化学稳定性很高，所以放弃了这种方法，而唯一能够作用
定量的，便利的化学溶解法，是用碱熔融，但是由于溶解时需要
的熔剂对碳化物的比值颇大，并且加热的时间很长，由此而来的
污染将使此法不能实际应用。
因此，对直接光谱的发展进行了努力，大多数痕量光谱法的步
骤是以总能量为基础，样品在光谱电弧中完全燃烧以保证杂质完
全挥发至电弧中，基质植被的同时挥发和激发强烈地使乳胶的背
景加深，所以杂质元素的光谱线条被严重的隐蔽了，在本实验室
中观察到许多杂质元素在比较不强烈的激发情况下能够从碳化硅
基质中选择性地挥发，所以碳化硅的挥发被压抑，这种现象用于
测定碳化硅中痕量杂质的直接光谱法的发展中，对于许多元素说
来，其灵敏度在0.001-0.1p.p.m范围内。
光谱标准
RE-43碳化硅
碳化硼研体中彻底地粉碎，保证均匀磨细的粉料用作为基质材
料，其中加入已知量的杂质，一系列标准样品是连续烯释43种元
素氧化物的主要混合我的粉料而制成，在碳化硅中每种的浓度为
0.13%。
为了避免使粉料杂质从基质分离的静电荷的形成，在所有混合
操作中使用玻璃器皿而不用塑料器皿。
对于I和II族元素加入二氧化锗作为内标准，其浓度为10p.p.
m的锗，基质材料中存在的硅可以用作为IV和V族元素的内标准。
光谱参数
为了测定以电弧时间为函数的杂质元素线条的光谱变动情况，
在氩气流中用20安直流电弧对碳化硅标准和样品进行了移动底片
的试验，发现许多杂质元素能够根据它们的挥发速率分类，移动
底片试验完成后，碳化硅残余物在光谱电极中受到更猛烈的电弧
，此时不出现杂质元素的光谱线条表明以前的挥发已经完成。
所有资料用于交流学习之用，如有版权问题请联系，禁止复制,转载注明地址
上海光学仪器一厂-专业显微镜制造商 提供最合理的显微镜价格
合作站点：http://www.sgaaa.com/显微镜百科