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亚微米技术的应用主要将影响磁泡和半导体存贮器方面。
虽然首批用亚微米技术制造的存贮器可能为64 K的随机存贮
器(RAM),但“百万位芯片”也不是不可能的。这些结构意味着
对单磁道磁头的存贮系统来说,亚微米器件比磁盘或磁鼓更经
济。
超大规模集成电路技术将应用于复杂性仍在不断增加的新
产品中。带有单片存贮器的单片中规模计算机迅速成为现实,
不久将出现在一块芯片上形成的完整的小型计算机。
封装成本将限制亚微米技术在简单集成电路中的应用。如
果是i占片成本而不是封装成本占主导地位,那么就能从亚微米
技术投资中获利。
由于制版、检查和其宅操作步骤的许多方面都有所改变,如
采用亚微米技术,就需要有新的设施.
对准是亚微米技术的一个关键因素。在大部分结构中,
热膨胀系数和物理条件的微小差异成为实际上的限制因素。但
对某些本来就不需要有高度对准精度的磁泡或自对准器件来
说,情况就并非如此了。工艺的发展以及类似予合成制版和自
对准MOS栅的工艺研究和计划可能会取得成果,这样在无需
强调对准步骤的情况下就可达到电子束技术的分辨率。
虽然采用扫描技术可将电子束连续投影在硅片上,但这是
一种速度较慢的工艺,无法使亚微米技术经济地使用于许多生
产场合。
在硅片上高速复制掩模的基本方法有两种:一种是采用电
子束,另一种是采用x射线。电子束投影仪利用光电阴极作用,
整个掩模可发射电子,或可用机械结构来掩蔽电子束。因为电
子束与X射线一样可沿直线投影,所以这两种方法均可采用投
影技术。无论电子柬投影还是x射线投影均能在几秒钟内曝
光一片碎片.
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