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硅氧化层的另一个重要作用是保护和钝化表面。
氧化层表面的稳定性优予未氧化的表面。硅氧化层的
化学结构与硅玻璃一样,所以氧化层似乎能够较好地隔绝周围
的杂质。可以说,这一前景被平面技术实现了(尽管硅器件还依
靠封装来避免外界的影响)。此外,在电气性能上,平面器件比
表面没有氧化层保护的器件在性能上有比较显著韵提高。
氧化层也可以用作硅片与制作在氧化层上的薄膜器件和布
线之间的绝缘层。最近,它还用作制作(隐埋)在无源硅支持结构
内的有源硅元件之间的隔离薄膜或构成有源器件结构的一部分
(例如,表面场效应MOS晶体管)。
“热氧化层”是指硅与氧气、水或其它含氧化合物在热激发
反应中所形成的氧化层。这个定义不仅包括硅在蒸汽或氧气中
开管热氧化,还包括高压氧化和“加速”氧化的专门技术。
阳极氧化层是指通过电场作用使可动离子在气态或液态介
质中迁移所产生的氧化层。
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