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本文标题："集成电路硅片在研磨抛光后使用金相显微镜观察"
新闻来源：未知 发布时间：2015-7-27 16:01:21 本站主页地址：http://www.jiance17.com
集成电路硅片在研磨抛光后使用金相显微镜观察
硅片在研磨之后，必须再进行抛光。因此对于集成电路
材料来说，切割的硅片要比生产工艺所需的硅片厚，因为下一道
研磨加工必须去除切割痕迹和晶格结构内的机械损伤。
加工损伤或应变对电阻率有明显的影响。在单晶硅中这种
影响是如此之明显，以致可将硅棒用作极灵敏的应变仪。
将切割好的硅片置于研磨机中，研磨掉受损伤的表面材料，
从而制得厚度偏差小于0．001英寸的平整硅片。连续交替使用
精磨料与化学腐蚀来减少表面层下面的损伤量。作为表面制备
的最后一步，为去除表面损伤的最后痕迹，使表面光亮如镜，可
采用化学腐蚀、机械抛光或电化学腐蚀中的任何一种方法。用
机械抛光方法获得的硅片表面平整度要比用化学腐蚀方法的
好，但残存有少量机械损伤。采用何种方法进行最后的表面加
工，一般应兼顾机械抛光片中残存机械损伤对电学参数的影响，
以及化学腐蚀可能产生的分辨审问题这两个因素。
为获得令人满意的电路成品率和电路性能，对单晶硅片的
晶向、电阻率、导电类型、晶体完美性和少数载流子寿命均有一
定的要求。
在制造电路的这一面需要有一个平整如镜的抛光表面，以
便在光刻过程中使掩模版与硅片表面接触良好。表面缺陷，尤
其是那些突起部分的缺陷，将会损坏乳胶掩模版上的图形并产
生有缺陷的电路。
订购外延片时，对外延层的电阻率、导电类型、晶体完美性、
厚度、表面平整度和完美性应提出一定的要求。
为获得适用的材料，曾经有一段时期半导体器件生产厂不
得不自己生长单晶硅。后来因生长技术变得更为普及，并且有
了充分的检测方法，因此，一些大型材料制造厂由于产量大、具
有专门技术并采用高度专用化设备和工艺控制，已能提供成本
比一般为低的单晶硅。现在大部分集成电路生产厂购买它们所
需的部分或全部单晶硅片。
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