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本文标题："器件尺寸小于光学分辨率就需要使用电子显微镜"
新闻来源：未知 发布时间：2015-7-27 16:01:00 本站主页地址：http://www.jiance17.com
器件尺寸小于光学分辨率就需要使用电子显微镜
光刻或光掩蔽是采用通常称力“光刻胶”的感光材料，涂覆在
二氧化硅或铝金属化表面薄层上，开出精确尺寸窗口的工艺。其操
作步骤是，将光刻胶涂覆在硅片表面+然后通过一块精密的照相掩
模版对光刻胶进行曝光，显影光刻胶中的图形，最后腐蚀二氧化硅
以开出窗口。最近有的厂家采用改装的扫描电子显微镜，由计算机
控制电子束对“电子光刻胶”进行曝光。X射线亦可用来曝光光刻
胶。采用这两种技术制造出来的器件尺寸小于光学分辨率的极限。
扩散是在暴露于外表的硅中而不是在覆盖的氧化层中进行的。
当用于淀积的金属层时，不需要的区域被去除，仅留下电路“连线
”用的互连图形。金属化工艺中通常使用的是铝。
因为制造典型的双极型集成电路通常需要完成埋层扩散、隔离
扩散，基区与电阻器扩散、发射区扩散、连接电路元件的接触窗口
(预欧姆)、互连图形和钝化层中的接触压点窗口这几个操作步骤，
所以，制造完整的电路显然至少需要七次光刻。由于电路所占的面
积很小(0．040至0．300平方英寸)，V话且元件尺寸的容差是以万
分之一英寸(0．0001英寸＝2．5微米)来计算的，故每次光刻的掩
模必须精确地套准硅片上的图形。此外，光刻工艺中的每一步都必
须仔细地进行，以保持所需的尺寸控制。
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