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本文标题："集成电路质量抛光后的晶片计量工业显微镜"
新闻来源：未知 发布时间：2015-2-7 3:47:38 本站主页地址：http://www.jiance17.com
着集成电路质量抛光后的晶片计量工业显微镜
用金刚石刀刃把硅单晶棒切成薄片(晶片)，此时，晶片表面
会产生损伤，为了消除这种表面损伤，要用机械方法或化学方法
加以抛光。抛光后的晶片为厚度约0.2mm的圆片。
随着集成电路质量和集成度的提高，不仅要在外延层中获得
一定的杂质浓度，而且要求生长结晶性能良好的外延层。虽然生
长前的表面处理和对晶片的操作等是使外延层产生缺陷的原因，
但对外延层的晶体性能起决定性影响的因素却是晶片本身的晶体
性能和外延生长工艺两个方面。
第一个方面是关于衬底本身的品体性能。在外延生长中，一
般使用无位错晶片，但是，如果由于晶片的研磨等操作留下了有
畸变和缺陷的损伤层，就会在氧化、扩散和外延生长中诱发位错，
这样，使用无位错晶片就变得毫无意义，堆垛层错就要增大，进
而pn结漏电流也增大，这就成为在晶体管和集成电路中产生噪声
的原因。也就是说，晶片表面的研磨加工成了外延生长工序的重
点。
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