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在较高的渗硅温度(1000°C)下得到的渗层,除了不等轴的气孔外,还存在
大量的等轴气孔——有圆形的和带棱角的。拉长的气孔一般指向表面,比900°C
时得到的渗层中的气孔更狭窄。在1000°C渗硅以后,看到了沿渗硅表面成行排
列的气孔,即平行于两个扩散相之间的接触面;这是这种气孔扩散源的标志,
在纯铁的渗硅层中,没有明显成行的隔绝式气孔,但存在最大的疏松区,该疏松
区和低硅的底层相接。
随渗硅温度增加到1100°C,气孔在尺寸上大大减小,但仍保留等轴,其中有
一部分为圆形。
增加渗硅温度,可明显改变渗层中最大气孔率区遥位置。在1000°C时,45钢
的最大气孔率区平行于渗硅表面,并接近渗层的内部边界;在1100°C时,成行
排列的气孔离内部边界显然要远些。
在两个扩散相中,最大气孔率区和开始接触的相表面之间的距离取决于其局部
扩散系数之比。因为渗硅时,形成成行的气孔主要决定于发生在烧结期间的扩散
动力学。在1100°C时,气孔接近于渗层的外部边界,看来这可用硅和铁的分扩
散系统之比减小来解释。在渗硅过渗中采用强化方法时,温度愈高,碳的聚集数
量就愈大,这应该有利于碳在渗层下面聚集。
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