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定量金相学方法综合分析渗层中气孔的形状和位置
有缺陷的渗层状态可能主要取决于各种因素的综合作用。其中每种作用应取决
于渗硅规范和渗硅材料的性能。
在研究扩散层的气孔时,不应该只限于研究形成气孔的原因。各种气孔也可能
在烧结过程中消除。在形成渗层不同条件下,这些过程中的其中之一可能成为占
优势的因素。因此,在形成渗层时,如果它伴随着强烈的烧结的话,不一定要避
免形成气孔。同时,也必须选择好渗硅规范,使其形成有利于烧结的渗层组织。
根据渗硅规范和条件,渗硅层的气孔率可在很大的范围内变化。
在炉子加热条件下,对得到渗层气孔率进行过许多研究,这些著作指出了渗硅
介质的状态及化学成分,对得到低气孔和无气孔渗导弹时的作用研究了渗硅材料
成分,工艺温度和保湿时间对渗硅层气孔率的影响。用肉眼分析了显微试样照片
上的渗层气孔率,没有定量的估计气孔率,因而限制了分析渗层形成气孔规律性
的可能。
用定量金相学方法综合分析渗层中气孔的形状和位置,可以发现渗硅层中的气
孔率和渗硅规范复杂关系。
有类似的现象。在高温下得到的渗层气孔率最低,是因为烧结过程加剧。但是
,随温度的增加,从次氯化物中直接进入渗层的硅量增加应促使气孔率减少;
使气态氯化铁更容易从反应区排出;促进易于烧结的气孔分布于有利的正面位置
;促使快速加热过程中表面区附近碳量的增加。
用光学放大镜观察证实,在低温(约900°C)渗硅时,大半是长形的气孔。
气孔象裂缝形状,方向垂直于试样表面,并且穿透整个渗层,把金属表面和气体
介质连通起来。这些长形气孔优先沿成长的晶体边界分布。虽然存在扩散气孔的
情况是不可避免的,但末见到其扩散源的外部特征。
在温度约900°C时,气孔扩散源的作用可能非常大,即使扩散源不多时也是如
此。当存在象气孔扩散源一样的应力集中时,由于比容不同和气体反应物压力
不同引起的应力。大大促进了低塑性渗硅层裂纹和断裂的形成,许多裂纹具有一
定距离,以上事实的利于证明这种假设。
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