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磨片
磨片的步骤如下述。每个步骤之间,样品均需在超声波清洗器中清洗,并用去离子水
冲洗千净。各粒度磨料纸是用卡圈卡在圆形转盘上的,磨时用自来水冷却。
(1)用240目碳化硅纸,把过剩的环氧树脂磨掉,要磨出一个平的、而不是斜的面来,
但不要让岩石的表面裸露出来。
(2)用400目碳化硅纸,将岩石表面磨露出来,但不要超过浇注层。
(3)附加的(不是必须的)步骤:如果浇注层已有部分脱落,可用伊波菲胶再次浇注
已磨表一面,并在50℃下烘2 h
(4)用600目碳化硅纸或用一块比利时油石,把经过(2)和(3)步骤的表面磨成一
个更加平整的面。在用磨刀石之前,要在一块玻璃板上用600目的氧化铝磨料对磨刀石
作净化处理。
(5)继续用800目的碳化硅纸或者在一变速转盘上用800目的氧化铝磨料加水研
磨,要磨出一个平滑的只带有微细条痕的平面来。
(6)附加的步骤:如果需要,可继续用1200和1500目的氧化铝磨料研磨。
抛光
我们采用金刚石研磨膏,而不是氧化铝,目的是使平面上的起伏减到最
小程度。每个抛光步骤之间,样品均需在超声波清洗器中清洗,并用去离子
水冲洗干净。
(1)经过800目研磨后的平滑带细痕的平面直接用3μm金刚石研磨膏来打
去所有的细痕。作法是将待抛光的平面朝上,用定位(或称就地)抛光的方法
来抛光该平面。所谓定位抛光就是在一根直径为1 cm的金属杆上,其平头端
面装有特斯默特(texmet)布(此布背面有胶,便于粘贴),用此工具和3 μm
金刚石研磨膏对抛平面进行抛光(详见第五章中对定位抛光的描述)。
(2)用充填有1μm金刚石研磨膏的平头金属杆端面上的特斯默特布,在
油中继续对面朝上的待抛平面作定位抛光。
(3)最后用1/4 μm金刚石研磨膏的定位抛光技术来结束整个抛光工序。
在显微镜下检查1μm的条纹和刻痕是否已除尽。
(4)附加的步骤:可用过氧化铁或氧化铬作一擦而过的轻抛光。在清洗和
镜下检查之间只能轻轻擦1-2下;抛的次数多了反而会在抛光面上出现高低起
伏。
最终抛好光的表面应该是一个平滑、几乎没有刻痕、没有起伏的镜面。
这时样品的抛光面准备才算完毕。
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