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本文标题："TEM电子显微镜应用于金属晶体结构微结构分析"
新闻来源：未知 发布时间：2013-11-6 17:32:13 本站主页地址：http://www.jiance17.com
TEM电子显微镜应用于金属晶体结构微结构分析
微结构分析(Microstructure analysis)- TEM
由前面晶体结构以及磁性质的分析，发现最佳的(001)优选方位及垂直磁异性是
发生在退火温度 800℃系列样品中，膜厚 30 nm 的 FePt 薄膜；另外发现在这个退火
系列中有一临界膜厚，就是在膜厚 40 nm 以下，即小于 40 nm 跟大于 40 nm 时，FePt
薄膜在同一退火温度下，它竟然会产生结晶方位上及磁性质上完全不一样的不连续
变化，此一临界厚度，就是我们想要研究的对象，它非常有趣，也从来没被报导过，
所以挑选这个退火系列膜厚20、30、40及50 nm的样品，进行穿透式电子显微镜(TEM)的研究。
膜厚 20 nm 样品的 TEM 影像图，它的晶粒尺寸大小很不均匀，大
的晶粒尺寸超过 100 nm(约达 200 nm)，小的晶粒尺寸低于 20 nm，样品膜厚增至 30nm 时，
晶粒尺寸变得很大，最大的超过 1μm，在影像图中发现很多线条，
推测可能是平面缺陷，也可能是一些边界或结构上的缺陷，很难断定哪一个地
方是晶界，只清楚的看到它的晶粒很大，这点可从后面的磁区结构的分析获得印证。
到了膜厚 40 nm 时，检视图中的晶粒尺寸，发现它变得很小，
甚至比膜厚 20 nm 样品晶粒的尺寸还小，这点很特别，事实上，仔细观察膜厚 40 nm 的
TEM 影像图，发现到它的晶粒横向尺寸快要小于纵向尺寸。
膜厚增至 50 nm 时，TEM 影像图，发现晶粒尺寸突然变得
很平均，即晶粒的纵向尺寸大约等于其横向尺寸，约 50 nm
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