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非结晶性结构的金属氧化物往往具有较高的比电容,相信是因为金属
氧化物表面比较疏松,可以使质子进入内层和整体金属氧化物的活化位
置进行氧化还原反应,也因为如此,一般含水的金属氧化物的电化
学可逆性比无水金属氧化物来的好。而拥有结晶构造的金属氧化物其晶
格是坚硬的且难以加以膨胀,因此使得质子较不易与金属氧化物内活化
位置来进行氧化还原反应;故无水金属氧化物的氧化还原,通常会有迟滞
现象(hyslenstic)的产生。
此外,如果在晶体的某一个部分产生晶格缺陷。由触媒的观点得知,
缺陷处往往是能量分布最特别的区域,所以催化的效果往往是特别好。
因此.若能有越多的缺陷存在,将会使得活性位置(activesite)增加,
而提升电容特性
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