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硅晶太阳能电池大面积制程之高效率转换的问题详细
探讨,提出一种新的结构与制程技术,使实际尺寸为 150 mm×150 mm 的
太阳能芯片之转换效率高达 18.6%,
主要介绍的制程技术发展分为下列三项:
(1)使用ㄧ种结合激光图案与蚀刻技术的新方法,
(2)丝网印刷正面及背面金属电极材料之优化,
(3)改良正面电极印刷方法以减少光吸收的损耗
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