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金属、陶瓷、元件等材料显微结构尺寸测量
近年来对金属、陶瓷、半导体元件等材料之研究,可发现这些材料之薄膜特性,会受到其表
面或界面晶体结构的影响甚大。
在薄膜材料的性质上,系受到制程、显微结构、结晶方向、厚度、
杂质以及界面等因素影响,
即使相同成份,所得到的性质也会有些差异。为了探讨材料晶向结
构,以及其薄膜内应力分析,以得知金属薄膜之特性,在本次实验中,
将使用 X 光绕射仪量测晶向结构以以及 3D 表面轮廓仪来量测薄膜的内应力。
薄膜制作
使用硅晶圆(Silicon wafer)为P-type (100)的芯片,硅芯片经过化学机械单面抛光,其电阻率
介于5~10 Ω-cm,直径为99.5 mm~100.5 mm,厚度则为500~550 μm。
将硅晶圆切割成2 cm × 2cm
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