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温高低对低剂差排环的效应较小,温区间间隔需较大才可看出有明显变化。
由于单晶碳化矽含加工制造缺陷,无法提供空孔有之成核点,因此在所有条件下皆未发现空孔
的存在。差排环的型态,目前推是由格隙原子团聚,而造成之Frank 型多一排
原子之差排环。高分辨之电子显微影像显示某些区域极有可能符合以上推,但
在未超出影像范围区域无法显示完整差排环的端,因此此部分仍须努。未
研究将进高温以及高剂之照射实验,以解差排环是否会在6H 碳化矽
结构下演化为差排网或其他缺陷型态,并深入探讨其机制
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