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半导体封装多以转注成型将树脂挤入模穴内。充填过程中流动树
脂会对金线产生拖曳力而导致金线偏移,甚至互相接触,是造成缺限的一
大隐忧。随着IC薄化和多脚化的趋势,此问题益加的重要,是一个及需要
克服的难题。目前研究多暂略金线存在,或简化为二维,本研究针对三维
金线,设计加装透明观察窗之转注成型模,摄影记录树脂在模穴内的充填
过程,并改变金线端点相对高度、胶口位置等变因,做一系列的流动观察
;本研究并以数值分析预测金线偏移,并以量测验的结果印证。本研
究观察发现,三维金线的存在会对流场产生相当的影响,金线数目越多,
影响越大。数值流场分析忽略金线的存在,会造成误差。金线偏移量会随
着雷诺数增大而增加,对正方形模穴而言,浇口位置在边的交角比浇口在
边长中央可得到较小的金线偏移。金线一端上置型模座较两端平置型偏移
量小。本研究同时探讨在转注成型的制程加上压缩步骤的果效,试以
改良目前传统转注成型,提升因IC薄化与多角化后之可封装性所产生的封
装问题。实验发现在极慢压缩速度,金线偏移确实大幅减小。
Pitch/resin/CVI由于采用半混乱(semi-random)纤维布堆叠方式,导致挠曲强度和剪切
应力不高,因此在磨耗过程中破坏剧烈,表面状况极不稳定,并未出现Type3型磨耗
面,并且在偏光下,由于表面凹凸不平,导致光线反射不佳,取样也有所限制
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