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本文标题："使用金相显微镜观察矽晶基板的表面粗糙度"
新闻来源：未知 发布时间：2013-5-30 17:25:02 本站主页地址：http://www.jiance17.com
矽晶基板所使用之单晶、多晶基板主要制作技术为複线式线锯切割制程(Multi-wire sawing process)。
发展快速热退火（Rapid thermal annealing, RTA）方法及实验设备应用于线锯切削制程成品中以
探讨材料改质对于切削晶片的厚度均匀性、表面粗糙度、破坏深度之影响，
由Within-Wafer的观察法可知在退火温度提升到550℃时，
单一晶片上不同位置厚度值及厚度标準差为最佳，并且切削至黏胶面位置时的厚度值与粗糙度跳动较小；
Between-Wafer观察法则可得知在经过550℃快速热退火后的平均厚度，在不同切削成品位置可因为降低了晶片碎边的
情况因而得到较为平均的分佈。因此经快速热退火后可由显微观察及测试，可改善切穿晶片过程中的晶格破裂情况、
晶片边缘不完整性与降低切穿时不稳定状态所造成的破坏深度等情况。其中破坏深度可由550℃RTA后改善约52%。
运用在研发切削薄化晶圆的晶片厚度与表面粗糙度改善，进而达到切削大尺寸高品质矽晶圆基板之应用。
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