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研究不同于传统的积体电路 IC制程及一般微机电系统制程技术,而以影像式微阳极导引电镀法为基础,
结合奈米氧化锌半导体电镀技术,创造出表面披覆奈米氧化锌之铜微柱複合元件。
如何利用电化学法在铜微柱表面披覆氧化锌奈米结构物,并依据参数之控制,析镀出各种形貌不同之奈米柱结构。
金属铜微柱依制程之不同,可分为间歇式微电镀与连续式之影像导引微电镀,本研究选择以后者作为铜微柱之制程,
主要理由为连续式导引微电镀可制作出品质精细、表面平滑与结构均匀之铜微柱,
可允许氧化锌以电化学法披覆于表面,间歇式微电镀之优点为速度较快,但其结构粗糙之缺点使氧化锌不易均匀成长。
氧化锌之电化学制程参数可分为沉积电位、时间、与前驱物双氧水浓度作为形貌与结构之探讨。
阴极动态极化扫描显示在电位-0.9 V(vs. Ag/AgCl)为极限电流出现,
经由扫描式电子显微镜观察确实在此电位时沉积得到较佳之表面形貌。沉积时间为10 分钟时得到第一层之氧化锌柱,
当时间增加为20分钟得到互相堆叠且无定向成长之氧化锌柱状结构。
前驱物双氧水浓度为5 mM时氧化锌成米粒状之形貌,当浓度提升至20 mM时为六方堆积之氧化锌柱,
由XRD分析证实不同浓度之产物皆为氧化锌之纤锌矿结构,但由化学分析电子能谱仪(ESCA)分析在较高浓度双氧水
所得到之奈米柱含有较多之Zn(OH)2存在,显示前驱物浓度为影响氧化锌形貌之关键。
掺锡之氧化锌经微区元素分析(EDS)与化学分析电子能谱证实锡原子由电化学法掺杂,
并经由XRD分析显示并无其他不纯物如金属锡及二氧化锡存在,显示电化学沉积法掺杂亦为一可行之办法
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