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光激发荧光光谱实验装置
为了解氮化铟镓之发光位置,最常使用且简易的方法为光激发荧光光谱实验,
光激发光荧光光谱(Photoluminescence,PL)
可在 10 K~800 K 的环境下进行。雷射光经截光器(chopper)打至样品上,
将样品中之电子由价电带激发至传导带,与电洞再结合(recombination)而发出荧光。
样品所发出之荧光经分光仪(monochromator)后由侦测器接收,并将光的讯号由侦测
器转换成电压讯号输入锁相放大器(lock-in amplifier),由锁相放大
器接收与截波器同频率、同相位之讯号并加以放大,最后由电脑读
出,而得到荧光光谱。
实验中所使用之侦测器有四种,依氮化铟镓薄膜之发光能量位置的改变,
选择使用最适合的侦测器。其所需装置
如下:
1. 雷射
1.1 氩离子雷射(Ar+ Laser):使用波长 514.5 nm 和 454.0 nm。
1.2 氦镉雷射(He-Cd Laser):使用波长 325 nm。
2. 截光器:旋转频率为 213 Hz。
3. 分光仪:焦距长 0.5 m。
4. 侦测器
4.1砷化铟镓侦测器:适用能量范围 1.2 ~ 2.6 μm
4.2 锗侦测器:适用能量范围 0.8 ~ 1.7 μm。
4.3 矽侦测器:适用能量范围 0.3 ~ 1.1 μm。
4.4 光电倍增管:适用能量范围 0.16 ~ 0.90 μm。
5. 锁相放大器:具有锁定特定频率讯号并将其放大之功能。
6. 高低温系统:使用氦气封闭循环式系统,适用温度约 15 K ~
800 K。
7. 数位式温度控制器:利用铬(Cr)合金之热偶、及矽二极体
量测温度,适用温度范围约 4 K ~ 1000 K
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