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比较四片具有不同结构的氮化铟镓/氮化镓多
重量子井样品的奈米结构及光学特性。其中三个样品在成长与控制样品相同的高浓度量子井结构之前,
先成长一低浓度之量子井,同时,低浓度量子井上分别成长不同的厚度之氮化镓阻障层。
我们利用穿透式电子显微术及应力分布分析软体分析这四片样本的奈米结构,由穿透式电子显微术所得之影像,
我们可观察到量子井间不同程度的铟原子聚集现象以及成分不均匀的变化。经由应力分佈分析计算其各个量子井的平均浓度,
在与控制样品的结果比较之下,我们发现愈接近低浓度量子井的高浓度量子井具有越高的铟含量。
这样的铟浓度增加现象应归因于低浓度量子井的应力对于上层产生影响。
同时,我们发现此种预施应力效应所造成的影响会随量子井层数的增加而减小。
在这四片样品的光学特性比较中,可发现他们的发光波长虽然大致都位于500奈米,
但从穿透式电子显微术之影像中,我们发现当预施应力阻障层越薄,
在发光二极体中随着电流注入的增强而产生的波长蓝移现象会变的越小
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