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实验里,所有的试验都是以机械级(mechanical-grade)的矽晶圆基板来进行,其规格为P100、0-50欧姆-釐米、硼掺杂、300毫米。初始的背面研磨是以一台进料研磨机和2000-grit的砂轮盘来达到200微米。接着矽晶圆在旋转处理器(spin processor)上来进行化学蚀刻,并利用具有0.1微米针尖的轮廓仪(profilometer)测量底部表面粗糙度。在所有的扫描图中扫描长度为0.05 毫米,每一量测点皆在针尖施加10毫克的向下力量。并利用聚焦型离子束扫描式电子
显微镜(focused ion beam scanning electron microscope,FIB-SEM)拍摄产生出来的详细粗糙表面。*
从中心到晶圆边缘由狭长型的研磨线条所构成。这是研磨砂轮盘横过矽晶圆表面动作的征状,而导致在晶圆上产生内应力(inherent stress)。表面粗糙度是以总指标差偏(total indicator run-out,TIR)来描绘,TIR则经由在线条扫描的长度之间最大的尖峰高度数值减掉最小的尖峰数值所推估出来。粗糙度平均值(Ra)也会被计算出来,这个数值代表在线条扫描的长度之间粗糙度的平均值。在表面局部均匀度上可以明显的看出相当大的差异。表面粗糙度能提供额外的接触面积,因此对于提升金属黏着性而言表面粗糙是需要的。然而,矽微粒、细微裂痕、以及留下的表面不平整导致了不牢固的黏着点。剖面描绘资料所量测的高度距离是从矽晶圆损伤的尖峰值到微裂痕所导致的矽晶圆表面较低点。曲线图的x轴代表扫描长度,而y轴则代表在埃或微米的表面粗糙等级。晶圆的表面粗糙度从中心到边缘大幅地变动,量测晶圆正中心的粗糙度为4501.9埃TIR及762.8埃Ra。在测量晶圆中心到边缘的中间区域时,计算出的数值是5001.7埃TIR及782.5埃Ra。另外当从晶圆的边缘测量20毫米时,TIR的数值达到9930.6埃;而Ra的数值则是2074.8埃。这证实了样本晶圆的表面区域有着超过两倍的TIR数值,而从中心到边缘Ra的数值则几乎是三倍,像这样的表面不平整会导致金属黏着性和金属层均匀度的问题,且证实了背面研磨方法的不一致性。
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