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新闻来源：未知 发布时间：2012-9-21 9:45:15　本站主页地址：http://www.jiance17.com

晶圆的尺寸愈大愈好

“晶圆的尺寸”指的是晶圆的直径，目前矽晶圆的直径从早期的4吋、6吋发展到目前的8吋、12吋。而矽晶圆经过上面所叙述的“黄光微影技术”、“掺杂技术”、“蚀刻技术”、“薄膜成长技术”等步骤反覆进行后可以得到如图3-39(a)所示的结果，在矽晶圆上布满了边长大约1公分的正方形“晶粒(Die)”，每个“晶粒”上都有数百万个CMOS，而且每一个“晶粒”都“完全相同”，最后再将这些正方形的晶粒切开，则可以得到许多“完全相同”的“晶片(Chip)”，每一个晶片经过封装与测试，就是积体电路了，换句话说，一片矽晶圆就可以产生“数百个”完全相同的“晶片”，所以矽晶圆的尺寸愈大，一次就可以生产愈多的晶片，“每个晶片的单位成本”也就愈低，晶圆厂就是利用这样的技术“大量生产”以降低成本，显然晶圆的尺寸是愈大愈好，晶圆尺寸与成本的关系如表3-2所示，表中以“成本/cm2”代表晶圆每平方公分的成本，意思与“每个晶片的单位成本”相同。

或许有人会问，晶圆的尺寸愈大，生产成本难道不会增加吗？的确，晶圆的尺寸愈大生产成本愈高，例如：12吋晶圆的生产成本大约是6吋晶圆的“2倍”，但是12吋晶圆的“面积”是6吋晶圆的“ 4倍”(边长2倍，面积4倍)，所以最后得到的晶片数目是4倍，收入也是4倍，显然还是有利可图，所以未来晶圆厂朝向12吋晶圆发展是无法避免的。

在图3-39(a)中将每一个正方形的晶片放大，可以看到其表面四周围分布了许多凸出的金属接点，称为“黏着垫(Bond pad)”，同学们还记得在矽晶圆的构造是在“地下室”有数百万个CMOS，然后在上方制作多层导线架构，最后这些导线必须与外界连接，由于封装时是以粗细大约100m(微米)的“金线”与外界连接，因此必须将各层导线(别忘记，多层导线的金属线宽度只有0.13m)汇合到最上层以后，再将尺寸转换为大约100m(微米)的“黏着垫(Bond pad )”，再经由“金线”与外界连接，“黏着垫(Bond pad)”的大小约100m(微米)，与“金线”的粗细100m(微米)相当，比较容易使用“打线机”进行打线相连的工作。

【注意】

“晶粒(Die)”和“晶片(Chip)”其实是完全相同的东西，一般我们习惯将晶圆切割前的正方形称为“晶粒(Die)”，而将晶圆切割后的正方形称为“晶片(Chip)”。

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