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新闻来源：未知 发布时间：2012-5-9 1:23:43　本站主页地址：http://www.jiance17.com

C-AFM的优缺点

传统上我们寻找有漏电或open现象的contact或via时，都是在FIB里利用ion image的voltage contrast做判断，但是它只能侦测大漏电或者完全open的情况，若是漏电微小或者阻值偏高时，这个方法就毫无用武之地。C-AFM利用电性量测的原理，可以侦测到pico，甚至是fento安培级的电流，因此微小漏电与高阻值的缺陷将无所遁形，不仅大大提高故障分析的成功率，也对制程改善微小缺陷提供了明确的方向，随着制程尺寸愈趋缩小，对微小缺陷的容忍度越来越低，C-AFM正好提供这方面强大的分析能力，因此在未来漏电与高阻值的侦测上，C-AFM的运用比例将逐渐提高。

C-AFM由于是用纳米级的探针做侦测，所以它的影像解析度也可高达奈米级，与FIB影像不遑多让，所以在90nm逐渐量产之际，甚至未来的65nm与45nm的产品，C-AFM也是足堪应付。

但也因为C-AFM是用探针做直接接触式的测量，故探针的耗损率也是很高，故此分析工具平常的保养与耗材费用将所费不赀。

依照先前所述的C-AFM量测原理，它是量测探针与基座的漏电电流，所以若侦测到了漏电，它必然是垂直方向的路径，但如果漏电路径是水平方向的，如subthreshold漏电，C-AFM仍是没有能力侦测出的。